GaS（α相硫化镓）
GaS（α相）是具有约2.6eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。α-GaS属于第13族过渡后金属单硫元素。
GaS（α相）是具有约2.6eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。α-GaS属于第13族过渡后金属单硫元素。
