h-BN（六方氮化硼）

单晶尺寸：1mm~1.5mm

水晶结构：六角形

单元格参数 a = b = 0.2502nm，c = 0.6617nm，α=β= 90°，γ= 120° 

六方氮化硼是具有约5.9eV的直接带隙的半导体，已被广泛用作用于生产由各种2D半导体（例如WSe2，MoSe2等）组成的超高迁移率二维异质结构的绝缘体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层，直到单层h-BN。

h-BN晶体具有约0.1cm的典型侧向尺寸并且是透明的。单晶h-BN是一种优异的绝缘体，由其非常大的击穿电压（> 0.4V / nm）表示。大面积尺寸的h-BN单晶可以被剥离到基底（例如SiO 2，石英，聚合物等）上。对于厚度为几十nm的厚度的晶体，尺寸范围可达〜100μm。