GeS（硫化锗）
GeS是间接带隙为1.6eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。GeS属于14族过渡金属单硫元素。
GeS晶体具有约0.6-0.8厘米的典型横向尺寸，呈矩形并具有金属外观。
GeS是间接带隙为1.6eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。GeS属于14族过渡金属单硫元素。
GeS晶体具有约0.6-0.8厘米的典型横向尺寸，呈矩形并具有金属外观。
