GeSe（硒化锗）
GeSe是间接带隙〜1.1 eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。硒化硒属于VI族过渡金属单硫化物。
GeSe晶体具有约0.6-0.8厘米的典型横向尺寸，呈矩形，具有金属外观。
GeSe是间接带隙〜1.1 eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。硒化硒属于VI族过渡金属单硫化物。
GeSe晶体具有约0.6-0.8厘米的典型横向尺寸，呈矩形，具有金属外观。
