MoS2（2H二硫化钼）

MoS2（2H相）是间接带隙为1.2eV的半导体。单层MoS2具有〜1.8eV的带隙。二硫化钼用作例如光检测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。MoS2属于第VI族过渡金属二硫属元素（TMDC）。

2H相MoS2晶体具有约0.8-1厘米的典型横向尺寸，六边形/矩形，具有金属外观。我们生产n型和p型MoS2，在室温下具有约10 ¹⁵ cm ^-3的典型载流子密度。