2H-MoS2(天然MoS2六角形)
天然MoS2是间接带隙为1.2eV的半导体。具有更好的控制纯度(纯度99.995%)。单层MoS2具有〜1.8eV的带隙。二硫化钼用作例如光检测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以被剥离成薄的2D层。MoS2属于第VI族过渡金属二硫属元素(TMDC)。
天然MoS2晶体具有约1-1.5厘米的典型横向尺寸,为六角形。
天然MoS2是间接带隙为1.2eV的半导体。具有更好的控制纯度(纯度99.995%)。单层MoS2具有〜1.8eV的带隙。二硫化钼用作例如光检测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以被剥离成薄的2D层。MoS2属于第VI族过渡金属二硫属元素(TMDC)。
天然MoS2晶体具有约1-1.5厘米的典型横向尺寸,为六角形。