MoTe2（2H二碲化钼）

2H-MoTe2（α相MoTe2）是具有约1.2eV的间接带隙的半导体和抗磁系统。Monolay 2H-MoTe2具有与层数成反比的直接带隙。它是仅用于单层或双层的直接带隙材料。钼化钛也存在于1T'MoTe2相中，该相是半金属，这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。MoTe2属于VI族过渡金属二硫属元素（TMDC）。

α-MoTe2晶体具有约0.6-0.8厘米的典型横向尺寸，呈六边形并具有金属外观。2H MoTe2是室温下典型的载流子浓度为约10 ¹⁷ cm ^-3的 N 型半导体。