WSe2（二硒化钨）

WSe2是间接带隙为〜1.3eV的半导体，单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。硒化钨属于VI族过渡金属二硫属元素（TMDC）。

WSe2晶体具有约0.8-1厘米的典型横向尺寸，呈六边形并具有金属外观。我们生产n型和p型WSe2，在室温下具有〜10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。