HfSe2（二硒化铪）
HfSe2是具有约1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。铑硒属于Ⅳ族过渡金属二硫属元素（TMDC）。
HfSe2晶体的横向尺寸为〜0.6-0.8厘米，呈六边形，具有金属外观。
HfSe2是具有约1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以被剥离成薄的2D层。铑硒属于Ⅳ族过渡金属二硫属元素（TMDC）。
HfSe2晶体的横向尺寸为〜0.6-0.8厘米，呈六边形，具有金属外观。
